韩国两大芯片巨头本月市值暴增逾千亿美元 来了 存储行业 超级周期 (韩国两大芯片公司)

随着（AI）热潮蔓延至科技界原本不那么有目共睹的角落，本月，韩国两大商的市值暴增逾千亿美元，而且这一迅猛的涨势有望继续下去。

本月以来，SK海力士仰仗其在高带宽内存（HBM）芯片——这是人工自动运转的关键——范围的主导位置而股价飙升。投资者对SK海力士规模更大的竞争对手三星电子将迎头赶上的押注也在上升。

与此同时，来自英伟达以外的人工自动处置器制造商的需求也在增长，由此带来的连锁效应正分散至那些此前被视为前景昏暗的传统技术芯片。

剖析师们本季度已将这两家韩国芯片巨头的目的股价上调了约30%，摩根士丹利预测，鉴于明年或许存储范围发生供需失衡，内存芯片行业将迎来 “超级周期”。这些股票目前仍被视为相对廉价，来自海外基金的投资料将介入。

“我们估量外资将继续流入韩国芯片股，”Allspring Global Investments的投资组合经理Gary Tan表示。“围绕这些公司的绝望心境的最终推进力，依然是美国大规模的人工自动基础设备树立，各大科技公司发布的严重资本支出方案为其提供了支撑。”

全球抢先的AI处置器制造商英伟达继续大批推销最先进的HBM芯片，随着AMD和博通公司的AI减速器赢得更多客户，这些公司估量也将加大推销力度。

Tan还表示，随着中国越来越多地采纳HBM，其不时增长的需求应该会带来额外的利好。

与此同时，围绕传统DRAM和NAND芯片的绝望心境如今正在流失。往年早些时辰，就在人工自动热潮引发芯片股大幅下跌之际，慎重的声威人士还曾正告称，其它范围正因自入手机和汽车市场的疲软而遭到冲击。

但在芯片制造商竞相将产能转移到利润更丰厚的HBM后，传统估量将在2026年发生供应充足。这应该会支撑DRAM和NAND的多少钱。此外，美联储降息或许有助于支撑美国这个全球最大经济体的增长，从而抚慰芯片销售。

“随着美联储开启宽松周期，人工自动芯片股的势头正在复苏，” 斐波那契全球资产控制公家有限公司（Fibonacci Asset Management Global Pte．）首席执行官Jung In Yun表示。“估量韩国企业将继续取得本国基金的资金流入，由于它们的估值比美国企业更廉价。”

即使本月股价下跌了24%，三星电子的预期市盈率仍仅为14倍，而SK海力士的股价本月飙升了33%，市盈率仅为7倍。相比之下，美国关键芯片制造商的市盈率约为26倍。

本国投资者正蜂拥而至，依照可追溯至13多年前的数据来看，外资流入这两家韩国存储芯片制造商的月度现金规模有望创下历史新高。但它们仍被视为“性能有余”，部分要素是海外买卖员以为韩国市场对股东不友好。

“三星的外资持股比例仍比此前58%的峰值低7个百分点。” 里昂（CLSA Securities Korea）剖析师Sanjeev Rana表示。“思索到人工自动需求的微弱，而传统存储产品的需求和多少钱也在上升，三星在这方面拥有市场指点位置，我们以为其外资持股比例还有进一步上升的空间。”

在错过早期人工自动热潮之后，三星电子的股价有望创下2001年以来最佳的单月表现，因投资者估量其与英伟达的HBM业务往来有望介入。

摩根大通、花旗集团和野村控股等20家投行的剖析师如今估量，未来12个月内，三星电子的股价有望逾越2021年创下的91000韩元的历史高点。截至发稿，该公司股价为82900韩元。

投行也不时在提高SK海力士的目的价。里昂证券的Rana估量，SK海力士将在高利润的HBM产品范围坚持市场主导位置。

“内存是构建人工自动基础设备的基础，我们估量这两家韩国际存供应商都将受益于美国超大规模企业以及其它公司不时介入的资本支出。” Rana表示。

硬盘的缓存容量是指什么？有什么用途？

1 硬盘缓存（Cache memory）是硬盘控制器上的一块内存芯片，具有极快的存取速度，它是硬盘外部存储和外界接口之间的缓冲器。 由于硬盘的外部数据传输速度和外界介面传输速度不同，缓存在其中起到一个缓冲的作用。 缓存的大小与速度是直接相关到硬盘的传输速度的关键要素，能够大幅度地提高硬盘全体性能。 当硬盘存取系统数据时要求不时地在硬盘与内存之间交流数据，假设有大缓存，则可以将那些系统数据暂存在缓存中，减小外系统的负荷，也提高了数据的传输速度。 硬盘的缓存关键起三种作用：一是预读取。 当硬盘遭到CPU指令控制末尾读取数据时，硬盘上的控制芯片会控制磁头把正在读取的簇的下一个或许几个簇中的数据读到缓存中（由于硬盘上数据存储时是比拟延续的，所以读取命中率较高），当要求读取下一个或许几个簇中的数据的时刻，硬盘则不要求再次读取数据，直接把缓存中的数据传输到内存中就可以了，由于缓存的速度远远高于磁头读写的速度，所以能够到达清楚改善性能的目的；二是对写入举措启动缓存。 当硬盘接到写入数据的指令之后，并不会马上将数据写入到盘片上，而是先暂时存储在缓存里，然后发送一个“数据已写入”的信号给系统，这时系统就会以为数据曾经写入，并继续执行上方的任务，而硬盘则在闲暇（不启动读取或写入的时刻）时再将缓存中的数据写入到盘片上。 虽然关于写入数据的性能有一定优化，但也无法防止地带来了安保隐患——假设数据还在缓存里的时刻突然掉电，那么这些数据就会丧失。 关于这个疑问，硬盘厂商们自然也有处置方法：掉电时，磁头会借助惯性将缓存中的数据写入零磁道以外的暂存区域，等到下次启动时再将这些数据写入目的地；第三个作用就是暂时存储最近访问过的数据。 有时刻，某些数据是会经常要求访问的，硬盘外部的缓存会将读取比拟频繁的一些数据存储在缓存中，再次读取时就可以直接从缓存中直接传输。 缓存容量的大小不同品牌、不同型号的产品各不相反，早期的硬盘缓存基本都很小，只要几百KB，已无法满足用户的需求。 2MB和8MB缓存是现今主流硬盘所采用，而在主机或特殊运行范围中还有缓存容量更大的产品，甚至到达了16MB、64MB等。 大容量的缓存虽然可以在硬盘启动读写任务形态下，让更多的数据存储在缓存中，以提高硬盘的访问速度，但并不意味着缓存越大就越出众。 缓存的运行存在一个算法的疑问，即使缓存容量很大，而没有一个高效率的算法，那将造成运行中缓存数据的命中率偏低，无法有效发扬出大容量缓存的优势。 算法是缓和存容量相反相成，大容量的缓存要求更为有效率的算法，否则性能会大大折扣，从技术角度上说，高容量缓存的算法是直接影响到硬盘性能发扬的关键要素。 更大容量缓存是未来硬盘开展的肯定趋向。

DDR1和DDR2的内存条有什么区别？

简易的说ddr是双倍速率同步灵活随机存储器的意思，ddr2是在双倍速率的状况下在优化两倍速率，所以是ddr2，ddr电压2。 0v，ddr21.8v，功耗更低。

严厉的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习气称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就以为是SDRAM。 DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步灵活随机存储器的意思。 DDR内存是在SDRAM内存基础上开展而来的，依然沿用SDRAM消费体系，因此关于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改良，即可成功DDR内存的消费，可有效的降低本钱。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次性数据，它是在时钟的上升期启动数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和降低期各传输一次性数据，因此称为双倍速率同步灵活随机存储器。 DDR内存可以在与SDRAM相反的总线频率下到达更高的数据传输率。 与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的保送和输入关键步骤既独立执行，又坚持与CPU完全同步；DDR经常使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可经常使用这个数据滤波信号来准确定位数据，每16次输入一次性，偏重新同步来自不同存储器模块的数据。 DDL实质上不要求提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它支持在时钟脉冲的上升沿和降低沿读出数据，因此其速度是规范SDRA的两倍。 从外形体积上DDR与SDRAM相比差异并不大，他们具有相同的尺寸和相同的针脚距离。 但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，关键包括了新的控制、时钟、电源和接地等信号。 DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2规范，而不是SDRAM经常使用的3.3V电压的LVTTL规范。 DDR2内存起始频率从DDR内存最高规范频率400Mhz末尾，现已定义可以消费的频率支持到533Mhz到667Mhz,规范任务频率任务频率区分是200/266/333MHz，任务电压为1.8V。 DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口规范，完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接口规范。 DDR2和DDR一样，采用了在时钟的上升延和降低延同时启动数据传输的基本方式，但是最大的区别在于，DDR2内存可启动4bit预读取。 两倍于规范DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的才干，因此，DDR2则简易的取得两倍于DDR的完整的数据传输才干。 DDR2内存技术最大的打破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输才干，而是，在采用更低发热量，更低功耗的状况下，反而取得更快的频率优化，打破规范DDR的400MHZ限制。 DDR2与DDR的区别 与DDR相比，DDR2最关键的改良是在内存模块速度相反的状况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。 这关键是经过在每个设备上高效率经常使用两个DRAM中心来成功的。 作为对比，在每个设备上DDR内存只能够经常使用一个DRAM中心。 技术上讲，DDR2内存上依然只要一个DRAM中心，但是它可以并行存取，在每次存取中处置4个数据而不是两个数据。 DDR2与DDR的区别表示图 与双倍速运转的数据缓冲相结合，DDR2内存成功了在每个时钟周期处置多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处置的2bit数据高了一倍。 DDR2内存另一个改良之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。 但是，虽然DDR2内存采用的DRAM中心速度和DDR的一样，但是我们依然要经常使用新主板才干搭配DDR2内存，由于DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。 首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。 DDR2的定义： DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程结合委员会）启动开发的重生代内存技术规范，它与上一代DDR内存技术规范最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/降低延同时启动数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取才干（即：4bit数据读预取）。 换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以外部控制总线4倍的速度运转。 此外，由于DDR2规范规则一切DDR2内存均采用FBGA封装方式，而不同于目前普遍运行的TSOP/TSOP-II封装方式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳如泰山任务与未来频率的开展提供了坚实的基础。 回想起DDR的开展历程，从第一代运行到团体电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的开展也走到了技术的极限，曾经很难经过惯例方法提高内存的任务速度；随着Intel最新处置器技术的开展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳如泰山运转频率的DDR2内存将是大势所趋。 DDR2与DDR的区别： 在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。 1、延踌躇问： 从上表可以看出，在同等中心频率下，DDR2的实践任务频率是DDR的两倍。 这得益于DDR2内存拥有两倍于规范DDR内存的4BIT预读取才干。 换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和降低延同时启动数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的才干。 也就是说，在相同100MHz的任务频率下，DDR的实践频率为200MHz，而DDR2则可以到达400MHz。 这样也就出现了另一个疑问：在同等任务频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。 举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相反的延迟，然后者具有高一倍的带宽。 实践上，DDR2-400和DDR 400具有相反的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的中心任务频率是200MHz，而DDR2-400的中心任务频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 2、封装和发热量： DDR2内存技术最大的打破点其实不在于用户们所以为的两倍于DDR的传输才干，而是在采用更低发热量、更低功耗的状况下，DDR2可以取得更快的频率优化，打破规范DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装方式，这种封装方式可以很好的任务在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会发生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳如泰山性和频率优化的难度。 这也就是DDR的中心频率很难打破275MHZ的要素。 而DDR2内存均采用FBGA封装方式。 不同于目前普遍运行的TSOP封装方式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳如泰山任务与未来频率的开展提供了良好的保证。 DDR2内存采用1.8V电压，相关于DDR规范的2.5V，降低了不少，从而提供了清楚的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义严重的。 DDR2采用的新技术： 除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II经过OCD可以提高信号的完整性。 DDR II经过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。 经常使用OCD经过增加DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；经过控制电压来提高信号质量。 ODT：ODT是内建中心的终结电阻器。 我们知道经常使用DDR SDRAM的主板上方为了防止数据线终端反射信号要求少量的终结电阻。 它大大参与了主板的制形本钱。 实践上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小选择了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会参与。 因此主板上的终结电阻并不能十分好的婚配内存模组，还会在一定水平上影响信号质量。 DDR2可以依据自已的特点内建适宜的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。 经常使用DDR2不但可以降低主板本钱，还失掉了最佳的信号质量，这是DDR不能比拟的。 Post CAS：它是为了提高DDR II内存的应用效率而设定的。 在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号前面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）前面坚持有效。 原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中启动设置。 由于CAS信号放在了RAS信号前面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会发生碰撞抵触。 总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多缺乏，虽然它目前有本钱高、延迟慢能诸多缺乏，但置信随着技术的不时提高和完善，这些疑问终将失掉处置

手机mtk系列cpu任务原理是什么？

CPU是Central Processing Unit的缩写，是中央处置器的意思。 我们经常听人谈到的486,Pentium就是CPU 。 CPU是一个电子元件，其规格就标注在元件上或元件的包装盒上，如iDX2-66这行编号就代表了这颗处置器是Intel公司制造的486等级的CPU，它的最高任务频率是66Mhz；又如K6-200的CPU，代表了这颗是AMD公司制造的586MMX级的CPU，它的最高任务频率是200Mhz。 CPU的任务原理其实很简易,它的外部元件关键包括：控制单元，逻辑单元，存储单元三大部分。 指令由控制单元分配到逻辑运算单元，经过加工处置后，再送到存储单元里等候运行程序的经常使用。 CPU的任务原理：　从控制单元末尾，CPU就末尾了正式任务，两边的环节是经过逻辑运算单元来启动运算处置，交到存储单元代表任务完毕。 首先，指令指针会通知CPU，将要执行的指令放置在内存中的存储位置。 由于内存中的每个存储单元都有编号（称为地址），可以依据这些地址把数据取出，经过地址总线送到控制单元中，指令译码器从指令寄存器IR中拿来指令，翻译成CPU可以执行的方式，然后选择成功该指令要求哪些必要的操作，它将通知算术逻辑单元（ALU）什么时刻计算，通知指令读取器什么时刻取数值，通知指令译码器什么时刻翻译指令等等。 1.指令高速缓存是芯片上的指令仓库，这样微处置器就不用停上去查找计算机的内存中的指令。 这种加快方式放慢了处置速度。 2.控制单元它担任有整个处置环节。 依据来自译码单元的指令，它会生成控制信号，通知运算逻辑单元（ALU）和寄存器如何运算、对什么启动运算以及怎样对结果时处置。 3.运算逻辑单元（ALU）是芯片的智能部件，能够执行加、减、乘、除等各种命令。 此外，它还知道如何读取逻辑命令，如或、与、非。 来自控制单元的讯息将通知运算逻辑单元应该做些什么，然后运算单元将寄存器中提取数据。 以成功义务。 4.寄存器是运算逻辑单元（ALU）为成功控制单元恳求的义务所经常使用的数据的小型存储区域。 （数据可以来自高速缓存、内存、控制单元）5.预取单元依据命令或将要执行的义务选择，何时末尾从指令高速缓存或计算机内存中失掉数据和指令。 当指令抵达时，预取单元最关键义务是确保一切指令均按正确的陈列，以发送到译码单元。 6.数据高速缓存存储来自译码单元专门标志的数据，以备运算逻辑装单元经常使用，同时还预备了分配到计算机不同部分的最终结果。 7.译码单元是将复杂的机器言语指令解译运算逻辑单元（ALU）和寄存器能够了解的简易格式。 8.总线单元是指令从计算机内存流进和流出的处置器的中央.