美国对华半导体制裁更新 中信证券 倒逼全产业链国产化减速 (美国对华半导体禁令出台)

文｜ 徐涛 王子源研讨

美国商务部于2024年12月2日更新了半导体出口管制政策和实体清单，关键针对中国大陆半导体企业。本次制裁依然是关键围绕先进制程的“小院高墙”式战略，意在卡住中国先进半导体展开进程，相关内容与此前媒体报道内容差异不大，市场已有所预期，由于相关企业已有延迟预备，我们以为短期通常影响有限，终年而言则需丢弃梦想，自立自强，有望进一步减速全产业链国产化进程。

美国更新出口管制规则并新增实体清单，瞄准中国大陆半导体范围。

2024年12月2日北京时期晚间，美国工业和安保局(BIS)发布了《出口控制条例(EAR)》的修订说明，修订半导体相关的出口管制规则，同时将 140个中国实体列入“实体清单”。中心内容包括但不限于：1）实体清单新增140家公司，并修正对部分企业（标注“脚注5” 的企业）供应含美技术本国产品的限制要求，以及从验证最终用户 (VEU) “白名单”方案中删除3家中国企业；2）针对高带宽内存（HBM）介入新的管制措施（介入新的3A090.c编码）；3）扩充了部分半导体制造设备和相关东西的管制品类，适用于本国直接产品规则。

针对实体清单企业和白名单的更新关键包括三部分。

1）新增140家实体清单公司，关键为国产半导体制造、设备厂商，也触及EDA、投资公司。 本次新增实体清单的公司包括半导体设备厂商、、、、、新凯来、凯世通、、烁科中科信、、、北京屹唐、西方晶源、上海睿励等半导体设备厂商及部分子公司；半导体制造商青岛芯恩、昇维旭、鹏新旭、武汉新芯等；EDA厂商及其子公司；半导体资料厂商及其子公司、上海新昇（旗下）、珠海基石、至纯精细气体等；半导体海外并购相关的建广资产、智路资本、等。实体清单内企业在置办美国技术含量25%以上产品时遭到限制。

2）对14家实体清单中的晶圆厂及研发中心介入了“脚注5”限制，更严峻限制含美技术产品的推销。 BIS针对14家曾经被列入实体清单或新列入的晶圆厂和研发中心介入了“脚注5”，包括福建晋华、中芯北京、、中芯北边、鹏芯微、ICRD、中芯南边、武汉新芯、青岛芯恩、中科院微电子所、上海集成电路装备资料产业创新中心、张江实验室、北边集成电路技术创新中心、中芯国际集成电路新技术研发公司等，BIS限制采纳美国技术的公司（包括美系和非美系）向这些中国公司出口任何含有美国技术的产品。此外BIS对中芯国际的容许赞同政策也做了修订。

3）3家半导体公司被移除VEU清单。 BIS将三家中国半导体公司从VEU（授权验证最终用户）“白名单”清单移除，区分为、华虹半导体和，VEU公司无需从 BIS 取得出口、再出口或转让（国际）容许证，如今被移除后，置办受管制的商品、软件和/或技术均要求经过BIS审查。

HBM和先进DRAM的限制加码，新增限制HBM的技术参数，支流HBM产品受管制。

1）新增HBM管制物项编码： 针对HBM介入了3A090.c管制物项编码，存储带宽密度逾越每平方毫米2GB/s即遭到管制，BIS表示以后一切量产中的HBM均受限；3A090.c关键针对独立HBM，而关于HBM与逻辑合封的产品，则关键聚焦算力芯片部分，看TPP和性能密度能否受限（依据3A090.a/3A090.b）；此外，关于美国或盟友企业在中国工厂封装等情形，设置了容许例外条件，当满足HBM内存带宽密度小于3.3GB/s/mm²等一系列条件时，可开放容许证例外授权，对产品去向仍有严峻管控。

2）修正先进DRAM定义： 在限制半导体设备时，将先进DRAM的技术规范从“18 纳米半间距或更小”修正为当 DRAM集成电路的存储单元面积小于0.0019μm²或存储密度大于 0.288Gbit/mm²时，该集成电路即契合 "先进节点集成电路 (Advanced-Node IC) "，从而限制3D DRAM等技术，抵达这一水平的国际DRAM存储厂推销含美技术设备要求容许证。

修订“商业管制清单CCL”，新增8类高端设备管制。

BIS在管制清单中新增8种品类（ECCN 3B001），后续此类设备的推销均要求容许要求或推定拒绝，关键包括：用于封装含硅通孔（TSV）芯片（如 HBM 芯片）的刻蚀设备；用于在先进集成电路的金属线之间堆积低介电资料的设备；用于先进存储器集成电路中低电阻率金属（钼和钌）的堆积设备；用于先进 DRAM中绝缘体堆积的设备；部分用先进节点钨堆积的物理堆积设备；能够用于先进节点集成电路消费的纳米压印光刻设备（套刻精度小于 1.5nm）；用于先进制程的高端单片清洗设备（如超临界清洗）；控制用于改善EUV光刻全体图形的堆积或刻蚀设备等。同时，7种商品从原 ECCN 3B001 移入新的 ECCN 3B993，不再要求容许要求或推定拒绝，要素是这些商品与制程节点有关，并已在非先进节点制造运转中失掉普遍经常经常使用。

风险要素：

全球微观经济低迷风险，下游需求不及预期，国际产业环境变化和贸易摩擦加剧风险，国产化推进不及预期，汇率大幅坚定，美国制裁加剧，日荷等美国盟友收紧半导体政策等。

投资战略：

本次制裁内容与此前媒体报道内容差异不大，市场已有所预期，由于相关企业已有预备，曾经延迟启动了终年囤货和去美供应链切换，我们以为短期通常影响有限，对企业业务延续性不构成清楚影响，终年而言则需丢弃梦想，自立自强，有望进一步减速全产业链国产化进程。

1）半导体零部件企业国产替代进一步减速。制裁走向抢先，倡议关注零部件国产替代机遇。

2）设备企业国产化趋向明白，以后最应关注具有先进制程、平台化、细分国产化率低的公司。

3）先进封装在AI芯片范围发扬作用增强，在2.5D/3D/HBM相关方向有继续技术迭代空间。倡议关注国际规划先进封装的厂商。

4）晶圆厂作为半导体先进国产替代中心战略资产位置强化。