打破！国产DUV光刻机问世 相关概念股群体大涨 严重 芯

今天上午，光刻机板块群体走高，截止发稿，、20cm涨停，、、涨停，、、、等纷繁大涨。

信息面上，工信部印发《首台(套)严重技术装备推行运转指点目录(2024年版)》。其中在电子公用装备目录下，集成电路消费装备包括氟化氩GKJ，光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。

国产DUV光刻机迎打破，量产28nm意义严重

近日，工业和信息化部印发《首台（套）严重技术装备推行运转指点目录（2024 年版）》通知。据“工信微报”引见，严重技术装备是国之重器，事关综合国力和国度安保。

值得留意的是，在严重技术装备文件列表中包括了国产氟化氪光刻机（110nm），和氟化氩(ArF)光刻机（65nm）的内容。

氟化氪（KrF）和氟化氩（ArF）两种气体均服务于深紫外（DUV）光刻机，出现深紫外光的准分子激光器。并且氟化氩光刻机和氟化氪光刻机两者均属于DUV光刻机。

目前来说，光刻机共经验了五代的展开，从最早的436nm波长，再到第二代光刻机末尾经常经常使用波长365nm i-line，第三代则是 248nm 的 KrF 激光，第四代就是193nm 波长的ArF光刻机，属于干式DUV光刻机。

依据信息，其中ArF（氟化氩）光刻机，光源为193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。

套刻精度通常被指为“多重曝光能抵达的最高精度”，按套刻精度与量产工艺1:3的相关，这个光刻机大约可以量产28nm工艺的芯片，大致相当于20年前ASML的1460K。

28nm尽管不是特地先进技术，但意义依然严重，由于这是芯片中低端和中高端的分界限，目前除了最先进的CPU、GPU、AI芯片外，其他的工业级芯片大多都是28nm以上技术。

这也意味着中国工业成功独立，国际的空调洗衣机汽车等各类工业品，可以打破西方国度设置的重重封锁，自主消费销售。

国产光刻机技术继续打破

在此之前，国产光刻机相关地下信息较少，保密水平高，但往年以来，国际光刻设备及曝光工艺地下信息逐渐增多。

3月22日，华为地下四重曝光工艺技术改良优化的专利；6月20日，工信部发布《首台（套）严重技术装备推行运转指点目录（2024年版）》公示稿（后于9月9日正式发布）；9月10日，上海微电子地下“极紫外辐射出现装置及光刻设备”的专利。

驱动光刻机信息发布的原因或有两个，一是美国大幅提高对中国的芯片关税，二是荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）进一步收紧先进DUV的出口。

证券以为，官方披露中心设备进度提振市场决计，国产光刻机相关产业链受益，国际晶圆厂扩产自主可控可期，国产半导体设备全体受益。

民生证券表示，海外半导体设备供应继续高增满足短期扩产需求，国产光刻机技术亦在继续打破，利好半导体设备自主可控的终年展开，继续看好国际晶圆厂的投资增长和国产半导体设备的国产化机遇。

相关概念股一览：

波长光电（300847）：公司光刻机平行光源系统可用于国产光刻机范围配套，并已交付多套系统。

苏大维格（300331）：向微电子提供光刻机用的定位光栅产品。

（002222）：全球最大的LBO、BBO非线性光学晶体消费商。

（688167）：提供光刻机曝光系统中心元器件光场匀化器。

京华激光（603607）：控股的美国菲涅尔制版科技在光刻机微结构光学方面实力较强。

（300456）：子公司Silex为全球光刻龙头公司提供微镜系统。

茂莱光学（688738）：公司在光刻机范围提供用于匀光、中继照明模块的光学器件、投影物镜，以及用于工件台位移测量系统的棱镜组件。

（688195）：公司合分束器运转于光刻机光学系统，多波段合分束器已进入微电子供应链。

---

美国“芯片法案”获经过，倒逼国产替代减速，谁最先崛起？

我以为国产芯片追上美国芯片！这结论或许要被不少人五体投地，以为是痴人说梦、笑掉大牙的呓语。 为以聋字止谤、以疑字穷理而摆一下理想、说一下理由。

一、先定位国产芯片和美国芯片设计及制造的现状

美国是最早发明和运行芯片的国度，应该供认其芯片设计才干很强，如英特尔、苹果、高通等芯片巨头设计水准引领着芯片开展的技术方向。 苹果A14仿生芯片，已能用5nm工艺集成125亿个晶体管，A15智能芯片将在2022年采用3nm工艺交由台积电量产，集成有160亿个晶体管。 而英特尔经常使用DUV光刻机亦能制程16nm、性能到达10nm工艺的芯片。 高通也是集中全力设计开展5nm的骁龙芯片。 但美国芯片制造没有与设计同步失掉相应优化，仍须依赖台积电、三星等代工企业消费才干成功高端芯片的制造。

我国华为芯片设计才干属全球一流。 采用5nm工艺的内置5G麒麟9000芯片、外挂巴龙5G的950麒麟芯片，系统集成度高、技术先进水平与各大芯片巨头在伯仲之间。 但由于EUV光刻机掣肘，目前还无法制造5nm及以下工艺节点的芯片，需交台积电代工方能消费，制造短板是清楚的。 中芯国际虽已能量产14nm芯片，N=1、N=2工艺有所储藏，可与顶尖的EUV光刻机能制程7nm及以下工艺高端芯片还是有距离。

二、在迷信飞速开展的如今，距离已不是关键疑问

曾几何时，美国的F-22蓝天展翅时，我们歼-20还未见雏形;美国航母满全球炫耀时，我们连航母图纸都没有;美国GPS为全球服务时，我国北斗系统还未立项，现今不都是追上了么！有些方面性能甚至还有逾越。 我们目前虽然在制程工艺上还无法到达消费高端芯片的要求，但在AI芯片运行上我们不输美国。 如北斗“龙芯”、比亚迪电动车的3C芯片、激光或米波雷达芯片等等，在同等工艺状况下我们拓展更深、技术更精。

在前沿的碳基芯片研发上、中美两国同处全球前列，研发进度相当，谁先成功还难以说准。 但在量子芯片研发方面，我们抢先于美国。 除了“九章”成功成功76个量子比特的计算机比谷歌的“悬铃木”快100倍以外，我国中科院郭国平教授成功的全球最加快量子逻辑门操作，已可计算出光量子在纠缠、叠加形态下的量子位移时期、方向，从而计算出其途径和图形。 处置了量子芯片中量子信息处置最关键技术，为能编辑量子线路图奠定了基础。

“景物长宜放眼量”。 芯片竞争最后也是综合实力竞争，我们有体制优势、工业门类完全、市场宽广，举国之力开展芯片，国产芯片追上美国芯片只是时期疑问。

华为首家晶圆厂曝光！国产芯片何时自给自足？

近日，有信息称华为在武汉开工建造其第一家晶圆厂，估量将在2022年分阶段投产。 华为的高端芯片在2020年9月15日正式在美国政府的制裁下遭到断供，虽然有包括高通，英特尔在内的众多美国协作商不时游说美国政府，以及台积电在9月15日前挪用其它订单的产能协助华为囤积高阶芯片，但依然难以抵消美国政府禁令的影响。 数据显示，2021年一季度华为智能手机出货量(不含荣耀)1690万台，占比16%，同比下滑50%。 理想上，禁令影响的不只是高阶晶片。 4月16日，就有网友在华为线下体验店发现华为部分手机不再标配手机充电器和数据线 ，同时为消费者提供两种版本选择，其中不含充电器的版本比普通套装少200元。 大家或许想到最近比拟火的环保要素，但其实是由于充电IC（电源控制芯片）的缺货造成的。 众所周知，去年疫情以来，全球范围内的芯片和原资料缺货与涨价现象十分严重，造成显卡、内存、 游戏 机、电视等产品都堕入了供不应求的局面，如今消费电子的缺货曾经蔓延到了充电头范围。 关于华为来讲无异于雪上加霜。 华为的这家武汉晶圆厂，估量投资18亿人民币于2022年投产，关键用来启动光通讯设备、海思芯片、智能驾驶、激光雷达等项目研讨。 初期仅消费光通讯芯片。 华为国际与光电子相关产品研发关键在武汉研讨所，华为武汉研讨所的研发人员已接近一万人，此次在武汉树立晶圆厂可以充沛发扬其在地优势。 自中美贸易战以来，我国晶片制造方面已取得长足提高， 设备方面，北边华创可用于14nm制程的硅刻蚀机已进入消费线验证；中微公司16nm刻蚀机已成功商业化量产，7-10nm 刻蚀机已达全球先进水平；屹唐半导体去胶和加快退火产品市占率全球第二；上海微电子光刻机运行水平为90nm，估量2022年可交付28nm浸没式DUV光刻机。 资料方面，安集 科技 TSV抛光液处于行业抢先水平，在14nm节点已成功小规模量产；沪硅产业12英寸硅片已获客户认证产品规格超50种，8英寸及以下硅片已经过认证的产品规格超550种，产品失掉台积电、中芯国际、华润微等众多芯片制造企业的认可。 晶圆制造方面，中芯国际14nm制程工艺产品良率已追平台积电同等工艺，水准达约90%-95%；7nm工艺曾经攻克并且进入了风险试产阶段，有望在6月份成功规模量产。 据悉国产DUV光刻机和28nm消费线会在2022年成功末尾量产，届时我国的芯片制造水平或将迎来开拓性进度。 建晶圆厂只是第一步，后续也许还会有更多企业介入出去，共同推进我国芯片制造业开展进程，逐渐摆脱供应链技术依赖。

三星台积电怎样也没料到，一切来得太快了，张召忠果真没说错，什么状况？

台积电是坐落我国台湾的一家芯片公司，在全球半导体商场中占据着抢先的方位。 由于它掌握着最为先进的芯片出产工艺，承当着为许多公司供应芯片的关键义务，其间包括人们熟知的苹果和高通等顶尖巨头。

台积电三星状况连连

芯片技术首要可以分为规划、出产与封测三个环节，其间出产环节是最杂乱也是最要害的。得益于ASML公司高端光刻机的支撑，台积电的芯片出产工艺不时在不时地行进，每年都能取得一半以上的商场比例，所以它才干成为全球第一大代工厂！

可是台积电没有想到的是，如今自己却被卡了脖子。 由于外地干旱严峻，再加下水资源不丰厚，所以造成台积电在水资源的疑问上被卡了脖子。 如今全球芯片饥馑严峻，台积电出如今这样的状况，无疑会减轻饥馑疑问。

5nm是本年最先进的芯片制程

这关于三星来讲是一个好信息，本以为此次三星可以终了弯道超车，可没想到的是美国出现了暴雪，造成三星不得不封锁在美国的代工厂，弯道超车的梦想就此破灭。 说起来三星也是够倒运的，好不容易等到老迈拉肚子了，效果自己也感冒了。

台积电现已具有了量产5nm芯片的实力，并末尾为各大客户供货，例如苹果本年的A14芯片就是由台积电代工的。 再比如说，前段时期华为到货的麒麟9000芯片，选择的相同是台积电的5nm工艺，但惋惜的是，二者的协作今后不会再有。

5nm是本年最先进的芯片制程，只需台积电可以量产，虽然三星也掌握了相关技术，可是它的良品率太低，达不到量产的要求。不过，台积电并不满足于现状，它寻求的一直是更先进的工艺技术，只需不时地打破自我才干取得更好的翻开！

张召忠没说错

看起来，张召忠悍然没有说错。 早前芯片禁令刚刚实施的时分，张召忠就早年说过，未来两到三年内，美国的芯片将会无人购置，由于到那个时分，我国将会处处都是这种芯片。 假设依照这样的气势翻开下去，我国想要终了芯片国产化指日可待。 到那个时分，我们在芯片上就不要求再依赖于国外出口，不会再担忧被任何人卡脖子。

总而言之，中芯全球此次的打破，关于我们关于国际半导体全体而言，都将会是一种鼓舞。 信任在国际各大企业的不懈努力之下，我们肯定可以从速终了芯片的自主化，真实终了将芯片话语权掌握在自己手中。 台积电遽然官宣！3nm芯片将在2021年启动试产，估量在2022年终了量产。 这个信息让许多公司都大为震动，要知道其他的代工厂还在为出产7nm芯片担忧，而台积电马上就要量产3nm了，其间的距离清楚明了！

但是更重磅的信息还在前面，据台湾媒体报道，台积电关于2nm芯片的研发作业取得了严重打破，现已超越了原本的预期开展！也就是说，除了3nm之外，台积电对2nm芯片的出产也恰当有掌握，它的行进速度真实是太快了。