天科合达开放一种高纯碳化硅粉料的免洗处置方法专利 提高碳化硅粉料的加工效率和质量 (天科合达项目)

专利摘要显示，本发明提供了一种高纯碳化硅粉料的免洗处置方法，包括以下步骤：A）将碳化硅块状料经常经常使用碳化钨材质的破碎机启动破碎，失掉碳化硅颗粒料；B）将碳化硅颗粒料平铺装入石英盘，在含氧气体气氛下启动加热，失掉高纯的碳化硅粉料。本发明破碎掺入金属杂质单一，碳化硅粉料表金属杂质含量更低；本发明中的方法简便高效：本发明免洗方法加工高纯碳化硅粉料，不要求经过磁选、漂洗、酸洗等步骤，提高了制备效率，下降消费本钱；本发明中的方法可以有效去除碳化硅粉料中的纤细碳化物，介入长晶的良率；综上所述，相关于现有技术，本发明具有制备方法简便高效、纯度更高，长晶效果更好等优越性。经过本发明，可以提高碳化硅粉料的加工效率和质量。

第三代半导体资料关键包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等，其中碳化硅和氮化镓的结晶加工技术，在大规模消费上取得了清楚效果。 此外，配合石墨烯、黑磷等新型二维资料的出现，以及氧化物半导体等全新资料的研发，也为第三代半导体的开展提供了或许。 上方简易引见一下碳化硅的开展历程和制备技术：开展历程：1. 早期开展：碳化硅资料早在19世纪末便被发现，1907年，随着Ferdinand Braun发明了第一款无线电设备，铅硫矿晶体末尾用于制造整流二极管，碳化硅也由此末尾运行于电子器件。 2. 开展阶段：60年代以后，美国等末尾对碳化硅资料启动深化研讨，希望借此资料开展更先进的无线电设备。 进入80、90年代，随着对碳化硅晶体生长技术的掌握，碳化硅的商业化消费末尾成功。 3. 现代研讨：21世纪以来，碳化硅运行于集成电路、功率电子等范围的研讨进度迅速，取得了一系列打破性效果。 制备技术：1. 气相堆积（CVD）法：气相堆积法是制备碳化硅的一种经常出现技术，经过高温下使气相中的资料在衬底上以单层或许多层的方式堆积成薄膜。 2. 物理气相堆积（PVD）法：物理气相堆积法经过物理方法（例如蒸发、溅射等）将物质从固态源转化为气态，然后在衬底上堆积生成薄膜或许多层膜。 3. 束外泻晶生长（PECVD）法：采用高温等离子体增强的气相堆积，关键是经过刷新反响气体并应用等离子体中的激起态粒子催化反响发生碳化硅膜，这样既能取得高质量的碳化硅膜，又能在高温下成功增长。 4. 分子束外延（MBE）法：这种方法属于超高真空技术，经过将元素原子束或分子束打到衬底过去生长晶体。 5. 液相外延生长（LPE）法：经过液相的碳化硅溶液，在高温高压的环境中，使衬底启动完美的外延生长。 目前，本钱、效率和性能的疑问是碳化硅资料制备中要求克制的关键难题。 但是，随着科研技术的不时提高，这些疑问有望失掉处置，碳化硅资料在功率电子、射频、光电和其他范围的运行都有很大的开展空间。