英诺赛科一度大涨超19.5% 第三代半导体行业迎来重磅协作 (英诺赛科吧)

英诺赛科(2577.HK)一度大涨超19.5%，最高涉及41港元，创月内新高。信息面上，纳微半导体宣布与英伟达协作开发下一代800伏高压直流(HVDC)架构，为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的“Kyber”机架级系统供电。纳微半导体的氮化镓和碳化硅技术可在肯定水平上大幅优化“Kyber”机架级系统的能效比、散热控制和系统牢靠性。

而英诺赛科努力于第三代半导体硅基氮化镓(GaN-on-Si)研发与产业化，上月公布了自主开发的1200V氮化镓(GaN)产品，在高压高频场景优点清楚，具有零反向恢复电荷的中心优点。此外，公布研报，初次掩盖英诺赛科并给予“买入”评级，指公司在GaN行业坚持抢先的三大中心优点：1)本钱优点；2)产能优点；3)客户和技术优点。公司的市占率行业抢先，IDM方式能够更好的成功协同作用，未来有望率先受益于GaN浸透率的优化。