芯导科技取得自对准场效应晶体管制备方法专利 可优化器件的性能 (芯导科技股东)

专利摘要显示，本发明提供一种自对准的场效应晶体管及其制备方法，于硅基外延层的外表和栅极多晶硅的外表依次构成第二氧化层和第二介质层，于栅极多晶硅两边的侧壁区域有侧壁的第二介质层，刻蚀第二介质层并保管侧壁的第二介质层，由侧壁的第二介质层构成接触孔的自对准，刻蚀第二氧化层和硅基外延层构成接触孔。此方法可不经过光刻对准的方式构成有源区接触孔，而是采纳侧壁介质层的方式构成有源区接触孔，在器件尺寸进一步参与时，降低对准难度，优化器件的性能。