HBM SK 海力士 内存复合年增长率高达 70% 未来低价后有望进入消费级设备

据韩媒 ETNews 报道，SK 海力士副总裁兼封装技术开发担任人 Moon Ki-ill 在昨 (4) 日于首尔举行的活动上表示，估量 HBM 内存的复合年增长率（CAGR）将抵达 70%。

Moon Ki-ill 表示，市场研讨机构 TrendForce 集邦咨询曾以为 2021~2027 年 HBM 内存市场的 CAGR 将为 26.4%，但下游客户的需求远远逾越了第三方机构的预期。

依据媒体以往报道，以 SK 海力士为首的三大 DRAM 企业已基本售罄 2025 年的 HBM 供应。

Moon Ki-ill 还提到，HBM 目前关键用于 AI 减速器，但未来多少钱降低后有望浸透到以 PC 和移动设备为代表的消费级市场。

AMD 曾在 GCN 架构世代推出过数款搭载 HBM 内存的高端消费级显卡（媒体注：如 RX Vega 64、R9 Fury X 等），但那之后 HBM 就分开了消费级的视野。

Moon Ki-ill 称：“SK 海力士正在为 16 和 20 层堆叠的 HBM 内存消费预备混合键合技术，这将使它们在多少钱上更具竞争力。”

SK海力士HBM2E单颗容量16GB，带宽超460GB/s，能否将引领新一波显存市场革新？

SK海力士引领内存改造：HBM2E大显神通SK海力士近日宣布，他们曾经成功成功了HBM2E DRAM内存/显存芯片的大规模量产，这一里程碑仅耗时10个月，比原方案提早了时期。 这款新型内存的降生再次证明了SK海力士的技术实力。 HBM2E仰仗其出色性能，应用TSV硅穿孔技术，成功了史无前例的堆叠技术，单颗芯片就能容纳16GB内存，是上一代HBM2的容量翻倍，甚至可达24GB，其容量潜力令人注目。 每颗芯片的数据传输速率高达3.6Gbps，当与1024-bit I/O结合时，带宽打破460GB/s的天花板，展现出惊人的数据传输才干。 假设采用四颗芯片组合，总容量可到达64GB，位宽优化至4096-bit，总带宽则超越1.8TB/s，这一数据让GDDR6望尘莫及，彰显了HBM2E在性能上的清楚优势。 HBM2E的普遍运行范围普遍，包括工业4.0的智能制造、高端GPU显卡的图形处置、超级计算机的计算密集型义务，以及机器学习和AI范围的数据处置需求。 SK海力士不只是HBM技术的开创者，曾由AMD的R9 390X显卡首发，引领了内存技术的改造。 值得一提的是，三星也在积极研发HBM2E，而美光则泄漏将在年底前推出新一代的HBM产品，市场竞争将愈加剧烈。 SK海力士的HBM2E无疑在内存市场占据了先发优势，等候在未来的运行中大放异彩。