SK海力士却瞄准了硅中介层 为了英伟达你追我赶！三星用4nm豪赌HBM4 (sk 海力士)

从HBM3E芯片的10nm制程，一下子跳到4nm制程，三星正希图在第六代高带宽内存芯片（HBM4）跨越SK海力士与台积电，夺回主导位置。媒体征引信息人士的话称，三星将采纳4nm制程消费HBM4芯片逻辑裸晶，超出了业界预期的7~8nm制程。

虽然4nm制程本钱比7~8nm制程高得多，但在性能和功耗方面拥有微小优点。三星4nm制程的良品率曾经逾越70%，已运转于三星Galaxy S24旗舰手机的Exynos 2400处置器。

随同着AI热浪，以英伟达为代表的GPU龙头对HBM的需求一直增长。HBM由数个DRAM颗粒和逻辑裸晶垂直堆叠组成，而逻辑裸晶位于底部，担任控制DRAM，是HBM的中心部件。

在第五代HBM3E及之前，逻辑裸晶均由存储器厂商消费。不过，为了满足客户定制化需求，从HBM4末尾，要求经过代工流程。SK海力士也因此与台积电结成了“HBM4联盟”。

与SK海力士不同，三星自己就拥有晶圆代工部门，三星曾经将晶圆代工部门员工派往HBM开发团队。AI相关计算要求消耗大批电力，更高的性能和更低功耗成为市场关重视点。三星经过内存部门和代工部门的严密协作，从逻辑裸晶的设计阶段寻求优化，以最大限制地提高HBM4芯片的性能和功耗水平。

不过， 三星的HBM目前仍没有经过英伟达的合格测试 。据台湾电子时报最新报道，三星HBM3E将有望于第3季度取得认证出货，待相关程序成功后，将可量产供货。

当然，作为英伟达HBM3和HBM3E关键供应商的SK海力士无法能坐以待毙。其在往年4月就与台积电签署了体谅备忘录，协作消费HBM4，提高逻辑裸晶性能，并整合CoWoS技术。

事先有业内人士估量SK海力士的逻辑裸晶有望采纳台积电7nm制程。而日前也有信息称， SK海力士将采纳台积电5nm制程来消费HBM4逻辑裸晶 ，并延聘了阅历丰厚的逻辑设计工程师以提高HBM4的性能。

同时， 为了与英伟达安全HBM同盟，SK海力士正试图成为英伟达硅中介层供应商。 据韩国媒体Money Today报道，SK海力士已向全球第二大封测厂Amkor协商供应硅中介层样品。SK海力士将自己消费的HBM和硅中介层等发送给Amkor，由Amko将把它们与英伟达等客户的GPU组装成AI减速器。

JEDEC能否会放宽HBM4内存堆叠的最大高度限制至775微米？

据业界灵活，JEDEC固态技术协会有意向放宽HBM4内存的堆叠限制。 目前，HBM内存的规范限制在12层，最大厚度为720微米。 但是，三星电子和SK海力士等厂商已采取创新方法，如经常使用凸块技术，以成功更紧凑的7微米间距在HBM3E 12H产品上。

随着HBM4内存的方案优化至16层，传统技术面临应战。 假设坚持720微米的最大厚度，成功16层堆叠或许困难重重。 但是，最新的信息指出，JEDEC关键成员已赞同将HBM4的高度限制放宽至775微米。 这一变化为内存制造商提供了处置方案，支持他们在HBM4上继续沿用现有技术途径，同时为混合键合HBM内存的商业化进程提供更多空间。

混合键合技术，虽然能降低堆叠高度，但本钱高昂且技术尚不成熟，成为业界关注的焦点。 这一放宽限制的决策，无疑为内存堆叠技术的进一步开展翻开了新的或许，使得16层HBM4内存的成功变得更具可行性。

英伟达hbm谁提供

英伟达的HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）关键由韩国半导体公司SK海力士（SK Hynix）提供。 英伟达，作为全球知名的图形处置器（GPU）制造商，其产品在深度学习、游戏、虚拟理想等多个范围有着普遍运行。 为了满足这些高性能运行对内存带宽和容量的极高需求，英伟达在其部分高端产品中采用了HBM技术。 HBM是一种新型的3D堆叠内存技术，它能够在小巧的封装内提供极高的带宽和容量，十分适宜于高性能计算和数据中心等运行。 但是，这种技术的制造难度和本钱都相对较高，因此并不是一切的半导体公司都能够消费。 在HBM的供应方面，韩国半导体公司SK海力士是英伟达的关键协作同伴。 SK海力士在内存制造范围有着深沉的技术积聚和消费才干，能够为英伟达提供稳如泰山且高质量的HBM供应。 此外，两家公司在技术研发和市场推行等方面也有着严密的协作相关，共同推进着HBM技术的开展和运行。 除了SK海力士外，其他的一些半导体公司如三星等也在开展HBM技术，并有或许成为英伟达未来的协作同伴。 不过，目前来看，SK海力士在英伟达的HBM供应中占据着主导位置。 随着技术的不时开展和市场的不时变化，未来的供应格式也有或许会有变化。