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已规划显示半导体 光通讯半导体 301312.SZ MEMS传感器 智立方 CIS传感器及功率器件等关键范围 (规划状态)

媒体8月11日丨(301312.SZ)于投资者互动平台表示,公司已规划显示、半导体、MEMS、CIS传感器及功率器件等关键范围,关键产品包括Mini LED/芯片分选机、AOI设备、光通讯芯片精细排巴装置、固晶机、晶圆芯片分选机、CIS-FT测试机、多芯片固晶机、晶圆转送系统EFEM、Mini LED直显背光固晶机等。


由MEMS技术研发的产品及详解

我以为MEMS压力传感器的结构与任务原理及运行技术MEMS是指集微型压力传感器、执行器以及信号处置和控制电路、接口电路、通讯和电源于一体的微型机电系统。 MEMS压力传感器可以用相似集成电路(IC)设计技术和制造工艺,启动高精度、低本钱的大批量消费,从而为消费电子和工业环节控制产品用昂贵的本钱少量经常使用MEMS传感器翻开简易之门,使压力控制变得简易易用和智能化。 MEMS压力传感器原理:目前的MEMS压力传感器有硅压阻式压力传感器和硅电容式压力传感器,两者都是在硅片上生成的微机械电子传感器。 硅压阻式压力传感器是采用高精细半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电变换测量电路的,具有较高的测量精度、较低的功耗,极低的本钱。 惠斯顿电桥的压阻式传感器,如无压力变化,其输入为零,简直不耗电。 MEMS硅压阻式压力传感器采用周边固定的圆形的应力杯硅薄膜内壁,采用MEMS技术直接将四个高精细半导体应变片刻制在其外表应力最大处,组成惠斯顿测量电桥,作为力电变换测量电路,将压力这个物理量直接变换成电量,其测量精度能达0.01%~0.03%FS。 硅压阻式压力传感器结构如图3所示,上下二层是玻璃体,两边是硅片,硅片中部做成一应力杯,其应力硅薄膜上部有一真空腔,使之成为一个典型的绝压压力传感器。 应力硅薄膜与真空腔接触这一面经光刻生成如图2的电阻应变片电桥电路。 当外面的压力经引压腔进入传感器应力杯中,应力硅薄膜会因受外力作用而悄然向上鼓起,出现弹性变形,四个电阻应变片因此而出现电阻变化,破坏原先的惠斯顿电桥电路平衡,电桥输入与压力成正比的电压信号。 传统的机械量压力传感器是基于金属弹性体受力变形,由机械量弹性变形到电量转换输入,因此它无法能如MEMS压力传感器那样做得像IC那么庞大,本钱也远远高于MEMS压力传感器。 相关于传统的机械量传感器,MEMS压力传感器的尺寸更小,最大的不超越1cm,使性价比相关于传统“机械”制造技术大幅度提高。

半导体公司消费什么东西,仅仅是CPU?像INTEL那样,可全球上也只是INTEL和AMD能做啊,怎样中国有那么多

半导体行业是一个十分广的行业。 高性能通用数字处置器或许如今能做的只要为数不多的几家,比如你说的Intel,AMD,还有IBM等。 但说到整个半导体范围,种类单一。 普通的嵌入式芯片,单片机就有很多公司设计,这种公司大大小小不可胜数。 诸如内存,闪存等存储器,三星在这个范围独占鳌头。 陀螺仪等MEMS传感器。 芯片二字包括的产品真实单一。 除了芯片,LED范围,显示面板范围,也是采用的半导体资料。 而且一个芯片的工艺很复杂,或许就要很多公司共同协力成功。 晶圆的消费,流片,封装,测试等一系列工艺都有专门的公司。 所以,半导体公司就遍天下了。

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