弘元开放一种基于poly叠层提效工艺的电池片制造方法专利 下降电池背外表复合及电子搜集的损失 (弘元房地产开发有限公司开发房产)

专利摘要显示，本发明地下了一种基于poly叠层提效工艺的电池片制造方法，包括以下操作步骤：高压化学气相堆积：在硅片反面堆积一层超薄氧化层，超薄氧化硅直接与硅外表接触，从而防止半导体硅和金属电极的接触，从而下降电池背外表复合及电子搜集的损失，取得优秀的外表钝化效果。在氧化层上堆积一层非晶硅，介入电子的迁移速率同时克制空穴的迁移速率，最后在其外表堆积一层氧化层，在RCA去绕镀时对poly硅启动维护，掺杂非晶硅层，经过退火高温晶化。本发明所述的一种基于poly叠层提效工艺的电池片制造方法，在现有的技术的基础上，介入了一层本征非晶硅层，及三层及以上不同磷烷浓度梯度的非晶硅层，可有效的控制磷烷的掺杂浓度。