可增加 17% BSPDN 反面供电技术收益 能效 三星电子引见 优化 尺寸 15% (可以增加)

综合韩媒 The Elec 与 Hankyung 报道，三星电子担任晶圆代工 PDK 开发团队的初级副总裁 Lee Sun-Jae 昨日在西门子 EDA 论坛 2024 首尔场上引见了 BSPDN 反面供电网络技术的收益状况。

Lee Sun-Jae 表示，相较于采纳传统 FSPDN 供电方式的 2nm 工艺，采纳 BSPDN 的 SF2Z 节点可清楚改善电路压降疑问。详细到数据上，其可增加约 17% 芯片面积、优化约 15% 能效、增强约 8% 性能。

参考媒体此前报道，三星电子在三星代工论坛 2024 北美场上发布了最新先进制程路途图：初版 2nm 制程 SF2 定于 2025 年量产，改良版 SF2P 落在 2026 年，而 SF2Z 则将于 2027 年量产。

关于 SF2P，Lee Sun-Jae 则称三星电子方案在该节点上成功较 SF2 工艺 12% 的性能优化、25% 的功耗降低、8% 的面积增加。