High 光刻机 仍在评价 NA 台积电 EUV 采纳时期未定 (high光刻机)

《电子时报》昨日报道称，台积电最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技术。

对此，台积电海外营运资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示，仍在评价 High NA EUV 运转于未来制程节点的本钱效益与可扩充性，目前采纳时期未定。

上个月，ASML 走漏将在 2024 年外向台积电交付首台High NA EUV 光刻机，价值达 3.8 亿美元（媒体备注：以后约 27.6 亿元人民币）。

在此之前，ASML 已于 2023 年 12 月向英特尔末尾交付全球首台High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5000的首批模块，并已于往年 4 月 18 日成功组装。

ASML 表示，这台光刻机重量高达 150 吨，相当于两架空中客车 A320 客机，全套系统要求 43 个货运集装箱内的 250 个货箱来装运，一末尾估量要求 250 名工程人员、历时 6 个月才干成功装置。

资料显示，ASML 的第一代 High NA EUV（EXE:5000）分辨率达 8nm，可以成功比现有 EUV 光刻机小 1.7 倍物理特征的微缩，从将单次曝光的晶体管密度提高 2.9 倍，可以使芯片制造商能够简化其制造流程。据引见，EXE:5000 每小时可印刻 185 个以上的晶圆，而且 ASML 还制定了到 2025 年提高到每小时 220 片晶圆的方案。

也就是说，ASML 第一代 High NA EUV 并不是专门用于芯片量产的机型，而是用于尖端工艺的开发和验证；其第二代 High NA EUV 光刻机才是关键面向于尖端制程量产的光刻系统。值得一提的是，英特尔此前已宣布将率先采纳 ASML 第二代 High NA EUV——TWINSCAN EXE:5200B 系统。

一台光刻机多少钱

在消费芯片的环节当中，光刻机起到至关关键的作用，光刻机的工艺直接选择了芯片的能。 随着半导体工艺进入7nm以内，EUV光刻机是必无法少的关键设备，全球只要ASML公司能消费，如今NA 0.33孔径的EUV光刻机售价高达1.5亿美元，约合10亿一台，而且下一代会更贵。 如今NA 0.33孔径的EUV光刻机能够量产3nm、2nm工艺，再往后就要求NA 0.55孔径的下一代光刻机，也就是High NA EUV，制造2nm以下的工艺必需。 High NA EUV光刻机不只是自身昂贵，经常使用本钱也越来越高，由于功耗还会继续涨，ASML较近证明High NA EUV光刻时机额外消耗0.5WM功耗，加上目前的1.5MW功耗，下一代光刻机的总功耗将到达2MW，也就是200万瓦的水平。 假设一天24小时运转，那么下代光刻机每天就要消耗4.8万度电，这个本钱对芯片制造企业来说是十分高的，相对的电老虎。

ASML 拼命研制的新款高 NA EUV 光刻机或将是最后一代，你怎样看？

ASML，全球抢先的光刻机制造商，正在研制一款新的高NA EUV光刻机，或许将成为最后一代。 这款新机器将具有0.55 NA（高 NA）的透镜，分辨率达8nm，旨在尽或许防止在3 nm及以上节点中的双重或多重曝光。 此外，ASML还在努力降低EUV和High NA图案化的本钱，这或许要求十年的努力。 关于这款新光刻机的看法，可以从以下几个方面启动剖析：首先，这款新光刻机的推出将有助于满足下一代2nm制程工艺的需求。 随着科技的开展，芯片制程工艺也在不时提高，现有的EUV光刻机曾经不能满足未来的需求。 因此，这款新光刻机的推出将有助于推进半导体技术的开展。 其次，ASML正在努力降低EUV和High NA图案化的本钱。 这是一个常年且艰难的义务，要求ASML和其协作同伴启动继续的研发和投入。 但是，只需性能还没有到达193纳米光刻的水平，就有很大的改良空间。 最后，新光刻机的推出也将对半导体产业发生深远影响。 光刻机的迭代使这种设备拥有了更高的光刻分辨率、更高效的消费效率、更简易的光刻工艺。 这将有助于提高芯片的消费效率，降低消费本钱，推进半导体产业的开展。 总的来说，ASML新款高NA EUV光刻机的推出是半导体技术提高的关键一步，将对半导体产业发生深远影响。 但是，这还要求ASML和其协作同伴启动继续的研发和投入，以克制各种应战，成功技术的打破。

euv光刻机瓶颈待破,下一代技术怎样走

EUV光刻技术依然面临本钱高昂和物理极限等应战。 未来几年或许会出现如NIL光刻技术的下一代光刻技术，具有较低的光源本钱和较高的制程精度，或许成为EUV光刻技术的替代者。

EUV光刻技术是以后主流的先进制程技术，经常使用13.5nm分辨率的光可以构建更小的单位特征，但面临着本钱高昂和物理极限等应战。 与之相比，NIL光刻技术具有一些共同的优势，可以作为下一代光刻技术的候选者。

NIL光刻机相关于EUV光刻机来说，光源的本钱更低，不要求经常使用昂贵的EUV激光源。 同时，NIL光刻机经常使用一些DUV或许更成熟的光源结合纳米涂层的方法，可以成功一至两纳米制程的量产，具有较高的制程精度和消费效率。

虽然NIL光刻技术在技术上具有潜力，但要求留意的是，NIL光刻机还要求进一步的研发和验证，以满足半导体制造的要求。 此外，EUV光刻技术依然是以后主流的先进制程技术，具有较普遍的运行前景和市场需求。

ASML在EUV光刻技术上的打破和开展

ASML是欧洲最大的技术公司，作为光刻市场的指导者，其不时打破和开展在EUV光刻技术范围树立了行业标杆。

ASML在1997年参与了EUVLLC，并失掉了基础研讨效果的支持。 随后，ASML借助政府经费协助、下游制造商投资和结合研讨所的研发等举措，取得了清楚的进度。 2010年，ASML成功推出了第一台EUV光刻机NXE：3100，为EUV光刻技术的开展打下了坚实的基础。

目前，市场上主流的EUV光刻机是ASML的NXE：3400C和NXE：3400D。 这两款光刻机支持7纳米和5纳米节点的EUV量产，后者的消费效率相比前者提高了15%至20%。

2022年，ASML收到了供应商提供的第一个高数值孔径机械投影光学器件和照明器，这些模块将用于下一代EUV光刻机EXE：5000的初始测试和集成。

ASML的最新技术规划显示，HighNA系统将在2023年底交付给客户，并用于大批量制造的全平台工艺估量将在2025年投入运营。 加倍的数值孔径将推进EUV光刻技术的开展，使其能够应对2纳米乃至埃米级工艺节点的应战。

以上内容参考：网络百科-极紫外光刻