关键进度！清华大学开收回新型EUV光刻胶 (关键进度表)

随着工艺向 7nm 及以下节点一直推进，13.5 nm 波长的 EUV 光刻成为成功先进的中心技术。但 EUV 光源反射损耗大、亮度初等特点，对在吸收效率、反响机制和缺点控制等方面提出了更高应战。

清华大学宣布，该校化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻资料上取得关键进度—— 开收回一种基于聚碲氧烷（Polytelluoxane， PTeO）的新型光刻胶，为先进制造中的关键资料提供了新的设计谋略。

媒体查询发现，相关效果已于 7 月 16 日宣布在《迷信进度》上（DOI: 10.1126 / sciadv.adx1918）。

该研讨提供了一种融合高吸收元素 Te、主链断裂机制与资料均一性的光刻胶设计途径，有望推进下一代 EUV 光刻资料的展开，助力先进半导体工艺技术改造。

清华表示，以后支流 EUV 光刻胶多依赖化学加大机制或金属敏化团簇来优化灵活度，但常面临结构复杂、组分散布不均、反响容易分散，容易引入随机缺点等疑问。

如何打破这些瓶颈，构建理想光刻胶体系，成为以后 EUV 光刻资料范围的中心应战。学界普遍以为，理想的 EUV 光刻胶应同时具有以下四项关键要素：

1）高 EUV 吸收才干，以增加曝光剂量，优化灵活度；

2）高能量运行效率，确保光能在小体积内高效转化为光刻胶资料溶解度的变化；

3）分子尺度的均一性，防止组分随机散布与分散带来的缺点噪声；

4）尽或许小的构筑单元，以消弭基元特征尺寸对分辨率的影响，减小线边缘粗糙度（LER）。

终年以来，鲜有资料体系能够同时满足这四个规范。如今，许华平教授课题组基于团队早期发明的聚碲氧烷开收回一种全新的 EUV 光刻胶，满足了上述理想光刻胶的条件。

在该项研讨中，团队将高 EUV 吸收元素碲（Te）经过 Te─O 键直接引入高分子骨架中。碲具有除惰性气体元素氙（Xe）、氡（Rn）和放射性元素砹（At）之外最高的 EUV 吸收截面，EUV 吸收才干远高于传统光刻胶中的短周期元素和 Zn、Zr、Hf 和 Sn 等金属元素，清楚优化了光刻胶的 EUV 吸收效率。

同时，Te─O 键较低的解离能使其在吸收 EUV 后可直接出现主链断裂，诱导溶解度变化，从而成功高灵活度的正性显影。这一光刻胶仅由单组份小分子聚合而成，在极简的设计下成功了理想光刻胶特性的整合，为构建下一代 EUV 光刻胶提供了明晰而可行的途径。

光刻胶g线、i线、KrF、ArF、EUV，究竟是在说什么

光刻胶的g线、i线、KrF、ArF、EUV解释：

光刻胶是半导体制造中的关键资料，依据曝光光源波长的不同，光刻胶被分为不同的类型，关键包括g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶和EUV光刻胶。

总的来说，光刻胶的类型与其适用的曝光光源波长亲密相关，波长越短，加工分辨率越佳。 随着半导体制程技术的不时提高，光刻胶也在不时开展，以满足更高分辨率、更复杂工艺的需求。

光刻胶g线、i线、KrF、ArF、EUV，究竟是在说什么

在半导体制造的精细舞台上，光刻胶似乎画师手中的调色盘，依据曝光光源的不同波长，将微观全球精细划分。 我们来解析一下那些术语：g线、i线、KrF、ArF和EUV，它们各自代表的是怎样的技术反派。

从800-1200nm到350-500nm，g线和i线主导着早期的半导体工艺，是集成电路制造的基石。 ArF和KrF则瞄准了248nm和193nm的光刻技术，关于推进微纳米级别的制程有着选择性作用。 而EUV，作为未来的关键，瞄准了10nm以下的极限，目前ArF光刻胶占比约42%，KrF占比约22%，EUV技术正处于打破与开展的关键阶段。

在全球光刻胶范围，日本的东京应化和JSR引领潮流，东京应化以其片面的产品线稳坐龙头，而JSR更是研发力气的佼佼者，已涉足5nm以下EUV技术。 信越化学作为综合性化工企业，其KrF消费线曾因地震受损。 富士胶片也积极拓展EUV业务，展现了行业内的竞争与整合灵活。

但是，中国市场的现状并不容失望。 罗门哈斯这样的美国化工巨头被陶氏收买后，虽然陶氏在美国市场占据高位，但在大陆市场，尤其高端范围，外乡品牌如晶瑞股份关键聚焦于g线和i线光刻胶，高端技术研发仍有待打破，这无疑提醒了我国在高端光刻胶范围的“卡脖子”疑问。

光刻胶市场规模在过去几年中展现出微弱的增长势头，复合增速高达6.3%，2020年已到达约19亿美元。 虽然国产技术与市场份额落后，但随着半导体行业的开展，光刻胶需求继续上升。 十三五时期，我国的光刻胶市场年均增长率超越14.5%，关键得益于国际晶圆厂的大规模树立。

总结来说，光刻胶技术的开展不只关乎半导体行业的提高，也反映了全球产业链的规划与竞争格式。 要想在这一范围取得打破，技术研发、产业链整合以及国产化进程的减速，将是关键。 欲了解更多灵活，无妨关注化工新资料微信群众号，这里有最新的市场剖析和研讨报告。

大打破,我们离国产euv光刻机,究竟还会有多远?

综合各方信息，国产EUV光刻机有望在2026年前后成功原型机验证，2030年前成功小规模量产。

近年来，中国在EUV光刻机研发上取得了诸多打破。 如中科院上海光机所林楠研讨员团队开收回基于固体激光器的激光等离子体极紫外（LPP - EUV）光源，能量转换效率达3.42%，处于国际抢先水平，还绕开了被美国垄断的传统二氧化碳激光技术，处置了供应链“卡脖子”疑问，且通常最大效率有望接近6%。 同时，关键子系统也有进度，华为多层膜补偿技术、上海光机所离子束抛光反射镜、中科院研发的工件台、成都路维光电的G11掩膜版等都有一定效果，EUV光刻胶、刻蚀机等配套技术也逐渐打破。

不过，国产EUV光刻机研发仍面临应战。 系统集成方面，EUV光刻机需10万 + 精细零件协同，掩膜系统国产化率缺乏30%，高精度传感器等仍依赖出口；国际上，美国经过《芯片法案》结合日荷收紧出口，试图延缓中国技术迭代。

总体而言，若固体激光器效率继续优化且产业链协同顺利，中国有望成为全球第二个掌握EUV光刻机自主技术的国度。