SK海力士新设AI芯片开发和量产部门 (SK海力士新一代GDDR7显存)

韩国存储芯片巨头SK海力士周四表示，为了安全在人工自动（AI）内存范围的指点位置，在公司的年度组织调整中，新设立了两个专门担任开发和量产下一代人工自动（AI）芯片的部门。

SK海力士表示，新任命的首席开发官（CDO）和首席消费官（CPO）将与现有的三位担任营销、技术、企业中心运营的高管一同指点新部门。

SK海力士副总裁Ahn Hyun被升职为总裁兼首席开发官，担任新成立的开发部门，以开发下一代人工自动高带宽存储器（HBM）等未来产品。

SK海力士方面表示，Ahn Hyun还将担任SK海力士在DRAM和NAND范围的技术竞争力。

新的量产单位将担任芯片消费的前端和后端流程，旨在优化协同效应，并改善包括行将到来的龙仁半导体集群在内的国际外晶圆厂的消费技术。

SK海力士CEO郭鲁正表示：“经过全体员工的共同努力，往年在HBM、企业固态硬盘（SSD）等人工自动存储范围，提高了技术竞争力。面对瞬息万变的商业环境，我们将重新平衡目前的业务和未来的增长基础，进一步安全我们在人工自动内存范围的指点位置。”

SK海力士去年在全球HBM市场的占有率为54%，排在第一位，紧随其后的是三星电子（41%）和美国美光科技（5%）。

贮存芯片分支HBM迸发！29只HBM中心概念股曝光！

HBM，高带宽存储器，是灵活随机存储器的一种，专为数据密集型运行程序设计，以提供极高的吞吐量。 随着AI训练需求的激增，HBM成为半导体存储器范围的一颗新星。 全球抢先的存储器制造商三星、SK海力士，以及美光等，正预备大幅参与HBM的产量，以满足市场需求。 AI大模型的兴起，推进了数据处置量和传输速率的大幅优化，对AI主机的芯片内存容量和传输带宽提出了更高要求，这正是HBM应运而生的背景。 HBM的迸发，预示着国际相关供应链企业有望充沛受益。 HBM是什么？它具有高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，能够打破内存瓶颈，成为以后AI GPU存储单元的理想方案。 在AIGC技术的推进下，AI主机与高端GPU需求继续增长，估量未来几年HBM市场将成功高速生长。 全球DRAM三大巨头主导HBM市场，其中SK海力士的市占率最高，三星与美光紧随其后。 随着行业迸发，HBM的前景日益阴暗，存储巨头对此给予高度注重。 自2013年SK海力士初次成功研发HBM以来，三星、美光等存储巨头纷繁入局，从第一代HBM更新至第四代HBM3，技术不时更新。 产业链剖析显示，HBM关键触及IP、抢先资料、晶粒设计制造、晶片制造、封装与测试等环节。 在这一范围，国际厂商关键处于抢先设备和资料供应环节。 依据Choice数据、研报以及上市公司资讯，挑选出了29只HBM中心A股概念股。 华海诚科的颗粒状环氧塑封料(GMC)可用于HBM的封装，已经过客户验证，并处于送样阶段。 11月以来，公司股价已翻两倍。 HBM市场的增长趋向清楚，估量至2026年市场规模将达127.4亿美元，CAGR约为37%。 但是，市场介入者应关注风险，慎重投资。 股市有风险，投资需慎重。 本文内容仅供参考，不代表任何投资建议，未经授权不得用于商业目的。

内存芯片的疯狂或将在2024年重演

存储芯片市场在2023年阅历了一番坎坷，第四季度DRAM（内存）和NAND闪存的多少钱出现了约3%至8%的增长。 其中，主机DRAM市场表现尤为突出。 随着运算速度的优化，DRAM和NAND闪存在各类AI运行、智能手机、主机及笔电中的平均搭载容量均有所增长，其中主机运行的增长最为清楚。 智能手机范围，由于供过于求造成的多少钱加快下跌，2023年智能手机DRAM单机平均搭载容量年增17.5%。 进入2024年，在缺乏新运行推进的预期下，估量智能手机DRAM单机平均搭载容量增长幅度将放缓至11%。 主机方面，AI主机需求继续增长，高端AI芯片相继推出，而训练是AI市场的主流运行，所采用的存储器以有助于高速运算的DRAM为主。 与NAND闪存相比，DRAM单机平均搭载容量增长幅度更高，估量年增17.3%。 在笔电范围，由于搭载新款CPU的笔电上市时期有限，对优化存储器容量的协助不大。 同时，AI PC要求DRAM容量加大至16GB，估量笔电DRAM单机平均搭载容量年增率约为12.4%。 随着AI主机的兴起，DDR5和HBM（高带宽内存）的需求随之减速。 DDR5内存的经常使用量和浸透率在主机范围迅速优化，与DDR4相比，DDR5具有更高速度、更大容量和更低能耗的特点。 估量到2026年，主机DRAM（不包括HBM）市场规模有望到达321亿美元。 在AI主机的高性能需求推进下，DDR5内存技术的普及率有望于往年到达30%，并在未来几年内进一步优化至85%。 HBM（高带宽内存）技术在以后GPU内存方案中占据主导位置，它经过改善存算分别造成的“存储墙”疑问，即存储单元带宽疑问和数据传输能效疑问，以及垂直堆叠Die裸片以参与容量，成为以后GPU对大容量和高带宽需求的最优方案。 HBM技术在AI主机范围的运行继续增长，从HBM1到HBM3的迭代，带宽和容量逐渐优化，满足了AI主机对内存性能的更高要求。 展望未来，AI芯片供应商的项目进度将选择内存市场的走向。 英伟达、AMD和英特尔等公司方案推出采用HBM的高端AI芯片，如英伟达的GH200、AMD的MI300系列和MI350、英特尔的Habana Gaudi 2和Gaudi 3等，进一步推进HBM市场的增长。 在HBM市场，SK海力士、三星和美光等外存原厂正积极研发下一代HBM技术，如HBM4，以应对存储行业对新一代存储架构和工艺的需求。 SK海力士方案在2024上半年量产HBM3e，并提供8层堆叠样品，以进一步优化HBM内存的带宽。 三星也在研发HBM4技术，方案于2025年提供样品，并于次年量产。 全球存储器市场周期性动摇清楚，DRAM的上一轮周期在2017年见顶，2019年触底，随后阅历了约一年半的上传周期。 本轮DRAM周期在2021年见顶，2023年9月触底，目前正处于多少钱反弹阶段。 估量2024和2025年，内存市场将有望迎来新一波需求热潮，重现2017和2018年的市场现象。

日本芯片设备消费商Disco乘上AI西风

人工智能(AI)对芯片速度的要求继续攀升，同时，制造更先进制程芯片的本钱亦水涨船高。 在此背景下，先进封装技术成为半导体行业的注目焦点，为众多公司带来机遇，其中一家低调的日本设备制造商也在其中受益。 芯片封装是指将芯片装入维护外壳，并与电源和其他元件相连。 过去，此环节的关键性相对较低，行业关键聚焦于消费更加快、更小型的芯片。 封装作为半导体制造的最终步骤，出于本钱等思索，少数芯片封装外包给专门从事组装与测试的公司。 虽然封装业务看似吸引力不大，全球最大的芯片封装与测试公司台湾日月光的去年毛利率仅为16%，远低于台积电的54%。 但随着芯片尺寸接近原子级，进一步增加芯片的本钱日益高昂。 AI热潮的兴起促使先进封装成为关注焦点。 先进封装的中心逻辑在于将不同芯片严密集成，以缩短数据传输时期，降低能耗。 例如，在AI需求激增的背景下，高带宽存储器(HBM)将不同存储芯片分层堆叠，接近中央处置器，减速数据传输。 详细运行案例包括英伟达的H200 AI芯片集成了六个HBM和图形处置单元。 自2022年底以来，韩国存储芯片制造商SK海力士的估值简直增长了三倍，该公司在HBM范围处于抢先位置，抢先三星电子和美光科技。 据摩根士丹利预测，2023年先进封装占全球半导体支出的9%，估量到2027年这一比例将上升至13%，即1160亿美元。 由于要求将不同类型的芯片集成，封装在芯片制造环节中变得日益关键，促使芯片代工厂与其他芯片制造商协作设计封装。 台积电仰仗CoWoS技术不时处于抢先位置，这种先进封装技术产能有限，不时是制约AI芯片产量的瓶颈。 三星和英特尔也拥有相似技术，SK海力士已与台积电协作开发下一代HBM与先进封装技术。 日本半导体设备制造商Disco亦从中受益。 该公司消费的工具用于研磨与切割印制芯片的硅晶圆。 当芯片堆叠时，晶圆的厚度变得至关关键。 摩根士丹利估量，Disco约40%的支出来自先进封装，自2022年底以来，股价下跌五倍多。 面对更小芯片的应战，创新封装方式提供新的机遇。 随着AI对芯片速度要求的优化与本钱的参与，先进封装技术有望在未来半导体行业中发扬更大作用。