上海积塔半导体放收场效应晶体管结构及其制备方法专利 下降沟槽构成工艺难度 (上海积塔半导体有限公司)

专利摘要显示，本发明提供一种场效应晶体管结构及其制备方法。场效应晶体管结构制备方法包括如下步骤：提供一衬底，衬底内界定有场效应晶体管结构的有源区；刻蚀有源区的衬底构成一规则形态的沟槽；在沟槽的侧壁构成场效应晶体管结构的源漏区域结构；在沟槽的底部及源漏区域结构的侧壁构成场效应晶体管结构的轻掺杂区域结构；填充沟槽并在轻掺杂区域结构外表构成场效应晶体管结构的沟道。为成功外延单晶硅层，本发明在衬底外表构成一个规则形态的沟槽，相较于现有的不规则形态的沟槽，下降了沟槽构成的工艺难度，也防止了沟槽中锗硅容易错位的疑问，同时还满足了应力工程，提高了沟道中的应力，进而提高沟道载流子迁移率速率。