半导体设备国产化方向明白 中信证券 重点关注刻蚀设备相关环节 (半导体设备国产替代)

智通财经得知，公布研报称，估量，至少以下三方面的技术趋向将推进刻蚀设备的用量和关键性优化：(1)光刻多重图案化路途的采用，(2)三维堆叠存储和近存计算需求，(3)底层晶体管结构更新。终年看，设备国产化方向明白。短期来看， 2025年国际半导体晶圆厂投资表现相对平淡，但随着国际头部存储厂商新一期项目有望启动，且先进逻辑厂商加大扩产力度，半导体设备有望进入新一轮加快增终年。该行以为，在光刻多重图案化、三维堆叠、晶体管结构更新的产业趋向下，刻蚀设备的用量和关键性有望清楚优化。从投资角度，倡议重点关注半导体刻蚀设备以及相关的及零部件环节。

中信证券关键观念如下：

在多重图案化、更高层数3D 堆叠(如3D NAND、3D DRAM)、GAA晶体管结构更新等产业趋向下，刻蚀设备的用量和关键性有望清楚优化

依据Wccftech报道，一位英特尔高管表示，未来晶体管设计(如GAAFET和CFET)或许下降对先进光刻设备(尤其是EUV)的依赖，而刻蚀技术将取代光刻成芯片制造中心。该行以为，随着以后半导体的器件设计和全体设计均在走向平面结构化，这种变化正在出现。

多重图案化：以后EUV光刻技术路途受限，DUV多重图案化成为国产包围关键，带动刻蚀设备用量成倍优化

7nm节点有两类光刻路途，即EUV单次光刻和DUV多重图案化。依据Semi wiki的数据，采用DUV多重图案化的形式，可以继续迭代至3nm。以后中国大陆EUV设备出口遭到限制，而DUV多重图案化路途成为关键。原本EUV计划下要求1次先进光刻+1次刻蚀才干成功的精细图案，在自对准四重图案化(SAQP)计划中则要求4次刻蚀和2次光刻来成功，这直接形成了DUV计划下刻蚀设备在消费线上的经常经常使用步骤介入至EUV计划的4倍，在假设每步工序工时不变的状况下，刻蚀设备用量也优化至4倍。

3D堆叠需求：存储层数优化扩展刻蚀用量，近存计算介入TSV刻蚀需求

3D NAND为了优化存储密度，不再追求平面上的线宽参与，而是将存储单元垂直堆叠。目前支流产品已逾越200层，未来将向1000层迈进。DRAM未来也有相似的3D堆叠层数的技术路途图。这使得对刻蚀设备的需求量和性能要求呈指数级增长。在从32层提高到128层的环节中，刻蚀设备用量增量最为清楚，用量占比从35%优化至48%。随层数介入，还要求更深邃宽比的刻蚀设备。以后支流的232层3D NAND大多采用60:1深宽比刻蚀设备，后续90:1刻蚀技术有望用于3XX层及更高层数的3D NAND量产。此外，在封装层面，要求在z轴方向启动3D拓展的场景大多要求采用TSV(硅通孔)工艺。AI训练和推理对存储带宽需求清楚优化，由此衍生出HBM+CoWoS、CUBE等近存计共计划，要求将存储与存储，或许存储与计算在纵向(z轴)启动3D衔接，或许横向(x轴和y轴)启动2.5D衔接。TSV工艺中刻蚀和填充设备占比靠近70%，将进一步介入刻蚀设备需求。

GAA晶体管：先进制程GAA晶体管导入，带动刻蚀设备占比优化，新增原子层刻蚀设备需求

GAAFET是接替FinFET的下一代晶体管技术，台积电2025年在2nm导入该技术，该行以为未来国际也将在此方向迭代跟进。GAA相比于FinFET的刻蚀工艺用量将清楚介入，FinFET有5道步骤触及刻蚀工艺，而GAA晶体管有9道步骤触及刻蚀工艺，增量步骤关键来自纳米线结构的构成。依据IMM信息的数据，刻蚀设备在先进制程中的用量占比将从传统FinFET时代的20%上升至GAA架构下的35%，单台设备价值量同比增长12%。此外，GAA晶体管还新增了高选择性的SiGe各向异性刻蚀需求，目前支流方法采用ALE(原子层刻蚀)的形式成功，国际厂商曾经启动相关研发规划，有望运转于3nm及以下的GAA结构、纳米片结构等高精度逻辑芯片的刻蚀。

风险要素：

全球微观经济低迷风险;下游需求不及预期;国际产业环境变化和贸易摩擦加剧风险;设备和原资料供应的风险;国产化推进不及预期;汇率大幅坚定等。

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对话江苏福拉特：半导体湿法设备，国产替代合理时

对话江苏福拉特：半导体湿法设备，国产替代合理时

如今的半导体产业，曾经是现代社会无法或缺的关键支柱之一。 随着芯片尺寸的不时增加，庞大杂质及污染物关于芯片良率和性能的影响末尾变得越来越清楚。 半导体清洗作为贯串硅片制造、晶圆制造、封装等环节的基础工序，相同末尾朝着精细化、专业化的方向开展。 而在这个范围，江苏福拉特智能化设备有限公司（以下简称“福拉特”）以其专业的湿法设备技术，成为了国产替代的关键力气。

团队耕耘20年，专注湿法设备技术打破

半导体清洗技术依照清洗介质不同，可以分为湿法清洗和干法清洗两种工艺路途，其中湿法清洗为以后主流技术路途。 所谓湿法清洗，指的是用液体化学溶剂或无离子水，经过腐蚀、溶解、化学反响等方法，使硅片外表的杂质与溶剂出现化学反响，生成可溶性物质、气体或直接零落，从而到达清洁硅片的目的。

福拉特目前湿法清洗的运用范围十分普遍，不只在硅片制造、先进封装等经常出现半导体行业场景里，在泛半导体行业，关于这种清洗技术相同有所需求。 因此，依据经常使用场景的不同，湿法清洗技术路途又被细分红单片清洗设备、槽式清洗设备、批式旋转喷淋清洗设备和洗刷器等类别。 其中，单片和槽式清洗设备是目前主流的清洗设备，而福拉特在这两条主流路途上均有相关产品推出。

在本次大会上，福拉特带来了公司最新的单片湿法设备以及槽式湿法设备，其产品规格最高支持19nm，是目前国际一流水平。 除此以外，福拉特另一大主力产品——药液浓度在线检测仪，可针对多范围经常使用的药液启动浓度测量、在线检测剖析与控制，相同也在业内失掉了市场验证以及客户认可。

一站式服务，成功降本增效

值得一提的是，福拉特是国际少有的“一站式”湿法设备供应商。 从行业现状来看，国际大部分企业的清洗主设备和隶属设备普通由不同供应商提供，而福拉特可以同时提供配件以及配套软件。 因此关于客户来讲，无论是前期评价本钱、前期运营本钱、还是全体推销本钱，“一站式推销”都能做到节省少量本钱，为企业成功降本增效。

福拉特2011年于昆山成立，并在2017年成立南京研发制造中心，但在这之前，福拉特的中心团队曾经在湿法工艺范围耕耘了20余年左右，积聚了相当丰厚的阅历。 正是仰仗对技术的热爱以及市场的敏锐洞察力，福拉特可以轻松满足客户的定制化需求或产品婚配，最终在口碑的不时积聚下，在业内打响名声。

国产替代合理时，扛起重担

从全球大环境来看，半导体清洗设备市场关键被日本迪恩士、东京电子、细美事和泛林半导体把持，四家公司算计市场占有率到达90%以上，市场格式较为集中。 但由于清洗设备自身占据本钱空间并不大，且复杂水平较刻蚀设备、薄膜堆积设备等类别相对较低，因此也是国产化或许性最大的类别之一。

作为国际抢先的湿法制程设备供应商，福拉特在近些年的开展历程中，明白了以“中国发明引领半导体显示装备开展”为愿景，并坚持以“科技创新，弱小中国半导体显示装备产业”为使命，着眼于攻克行业前沿和卡脖子技术。

据引见，福拉特在吸纳海外优秀技术的同时，其技术团队也在不时调研国际市场环境。 针对国际缺失的技术或环节，福拉特的技术团队继续地启动研发、完善与迭代。 最终在运行场景的不时积聚与丰厚之后，福拉特在技术上已成功国际抢先8项、独一3项、首创3项，其产品也打破了国外厂商的垄断。

从常年开展目的来看，福拉特除了会继续在湿法设备端耕耘以外，未来还会在资料等环节投入精神，为开拓泛半导体运行场景打好基础。

结语

如今的半导体清洗工艺，简直贯串了整个集成电路消费环节。 同时，随着线宽不时增加，关于颗粒和薄膜厚度的控制要求越来越高，半导体清洗工艺的关键性日益凸显，市场逐年扩展。 可以说，以湿法清洗为代表的新技术，保证了芯片产品的性能和良率，足以看出该市场的潜能。

另一方面，以福拉特为代表的国产半导体厂商，在技术层面的继续耕耘，为国产替代注入了更多的动力。 置信在不久的未来，国产设备能以清洗设备为打破口，让我们在更多细分范围看到“国产力气”。

半导体设备大汇总：国产替代从0迈入1，出口依赖度进一步降低

半导体设备大汇总：国产替代从0迈入1，出口依赖度进一步降低

近年来，中国半导体设备行业取得了清楚进度，国产替代步伐放慢，出口依赖度进一步降低。 以下是对半导体设备的大汇总及国产替代现状的详细剖析。

一、半导体设备市场概略

中国是全球最大的半导体设备市场，但外乡半导体设备市场在全球市场占比不到10%。 虽然如此，自2017年以来，国际集成电路装备销售额出现指数级增长。 据中国电子公用设备工业协会统计，2022年中国外乡半导体设备销售支出累计成功593亿元，同比增长53.6%。 其中，前10家设备制造商成功销售支出438亿元，显示出弱小的市场集中度和增长潜力。

二、国产替代取得打破性进度

三、国产半导体设备制造商表现优秀

内行业周期低谷期，国产半导体设备制造商依然表现出色。 多家上市公司业绩逆势增长，如盛美上海、北边华创和中微公司等。 这些公司在半导体清洗设备、刻蚀设备等范围取得了清楚进度，为国产替代提供了有力支持。

四、国产半导体设备从0到1的冬眠

五、展望国际半导体设备的2023

六、半导体设备图片展现

综上所述，中国半导体设备行业在国产替代方面取得了清楚进度，出口依赖度进一步降低。 未来，随着技术的不时提高和市场的继续开展，国产半导体设备将迎来愈加宽广的开展前景。

顺风十年，国产半导体设备曙光初现

顺风十年，国产半导体设备曙光初现

近年来，国产半导体设备在顺风中砥砺前行，阅历了从无到有、从弱到强的困难历程，如今终于迎来了曙光初现的时辰。

一、历史背景与早期打破

早在1996年，美国就结合“巴统”17国在内的33个国度，以《瓦森纳协议》的方式确立了严厉的技术出口管控，其中就包括芯片制造的中心设备——刻蚀机。 但是，在2015年，美国商务部却取消了向中国出口等离子刻蚀机的限制，要素是一家非美国公司（中微公司）曾经有才干供应足够数量和同等质量的刻蚀机。 这一事情标志着国产半导体设备在早期就取得了关键打破。

中微公司的开创人尹志尧曾是美国运行资料公司刻蚀机事业部的一把手，他回国后兴办了中微公司，并成功研收回国产刻蚀机。 中微公司的刻蚀机在成立第七年就成功了45nm介质刻蚀机的国产打破，成为台积电5nm产线上唯逐一家中国大陆刻蚀机供应商。 同时，国际规模最大的半导体设备公司北边华创也在这一时期成立，承袭了上个世纪中国半导体设备开发的简直全部遗产。

二、技术原理与市场格式

芯片制造的原理并不复杂，但高端制造业的中心在于对精度和误差的控制。 半导体制造有光刻、刻蚀、薄膜堆积“三大主设备”的说法，三种设备占据整个市场六成以上的份额。 其中，刻蚀机是将光刻标志的草图经过物理或化学方法去除，相似用刀具刻出详细的图案。

全球刻蚀设备市场由泛林、运行资料和东京电子分而治之，三者简直垄断了整个市场。 相比之下，国产刻蚀机的国产化率仍在20%左右徘徊。 不过，随着科技战的继续和国产设备的不时努力，这一局面正在逐渐改动。

三、国产化进程与应战

国产半导体设备的国产化进程并非坏事多磨，而是面临着诸多应战。 首先，供应链疑问是国产设备要求处置的关键难题。 由于半导体设备市场高度集中，供应商与设备消费商往往严密绑定，封死了后来者的途径。 同时，即使供应上不受限制，供应商也自然缺乏为新客户定制零部件的介入志愿。

其次，专利疑问也是国产设备要求跨越的鸿沟。 在设备研发环节中，很容易就会触碰到巨头的专利壁垒。 中微公司就曾先后与运行资料和泛林等巨头出现过专利诉讼。 虽然最终胜诉，但诉讼环节中的压力和本钱也是庞大的。

最后，压服芯片制造商“试试”国产设备也是一大难关。 设备相关到产线良率和单颗芯片本钱，是芯片制造商的生杀线。 因此，在设备的选择上没有感情全是技术，讲了技术还得论牢靠和稳如泰山性。 但是，随着国产设备的不时提高和芯片制造商对国产化的需求参与，这一局面正在逐渐改善。

四、市场机遇与未来展望

虽然国产半导体设备在全球市场的份额依然以个位数计量，但看似庞大的打破在二十年前也被视作难以跨越的平地。 如今，国产半导体设备曾经迎来了市场机遇。 一方面，随着全球芯片产能的不时增长和国产芯片需求的不时参与，国产设备有了更多的市场验证空间。 另一方面，美国等国度对中国的技术封锁也减速了国产自主研发的速度。

在未来展望中，国产半导体设备有望继续坚持加快开展的势头。 一方面，随着技术的不时提高和阅历的积聚，国产设备的性能和稳如泰山性将不时优化；另一方面，随着国产芯片产业的不时开展和壮大，国产设备也将有更多的运行场景和市场空间。 同时，政府和社会各界的支持也将为国产半导体设备的开展提供更好的环境和条件。

综上所述，顺风十年后的国产半导体设备曾经迎来了曙光初现的时辰。 虽然仍面临着诸多应战和困难，但随着技术的不时提高和市场的不时开展，国产半导体设备有望在未来成功更大的打破和开展。